Informace o projektu
Growth of organic semiconductors on graphene: from the first monolayer formation to molecular multilayers
(GOSG)
- Kód projektu
- GA22-04551S
- Období řešení
- 1/2022 - 12/2024
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Grantová agentura ČR
- Standardní projekty
- Fakulta / Pracoviště MU
- Přírodovědecká fakulta
- Spolupracující organizace
-
Univerzita Karlova v Praze
- Odpovědná osoba RNDr. Jan Kunc, Ph.D.
- Odpovědná osoba doc. Ing. Jan Čechal, Ph.D.
Cílem toho tohoto projektu je ucelený popis růstu organických polovodičů na grafenu. Tranzistory s řiditelnou Shottkyho bariérou založené na grafenu představují perspektivní koncept organických elektronických zařízení, který přináší řadu výhod: vysoký proud a operační rychlost, flexibilitu a škálovatelnost, přičemž jsou méně náročné na litografii. Nicméně, výzkum těchto zařízení vyžaduje komplexní přístup, neboť substrát určuje růst prvních molekulárních vrstev a ten následně vývoj struktury tenkých vrstev. V projektu se zaměříme na všechny následující body: (i) optimalizaci grafenu na SiC – jeho homogenitu, dopování a drsnost; (ii) popis závislosti kinetiky růstu molekul organických polovodičů na teplotě, depozičním toku a dopování grafenu, a (iii) popis struktury a morfologie tenkých vrstev organických polovodičů.
Publikace
Počet publikací: 3
2024
-
Millisecond X-ray reflectometry and neural network analysis: unveiling fast processes in spin coating
Journal of Applied Crystallography, rok: 2024, ročník: 57, vydání: 2, DOI
2022
-
Grazing Incidence X-ray Diffraction and Wide Angle X-ray Scattering using Laboratory Sources
Rok: 2022, druh: Další prezentace na konferencích
-
The characterization and growth of hexamethoxytriphenylene organic semiconductor molecules on graphene/SiC-6H and virgin SiC-6H substrates
Rok: 2022, druh: Další prezentace na konferencích