2012

• Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods

  MEDUŇA Mojmír RŮŽIČKA Jiří CAHA Ondřej BURŠÍK Jiří SVOBODA Milan

  Článek v odborném periodiku

  Physica B condensed matter, rok: 2012, ročník: 407, vydání: 15, DOI

• Studies of influence of high temperature preannealing on oxygen precipitation in CZ Si wafers

  MEDUŇA Mojmír CAHA Ondřej BURŠÍK Jiří

  Článek v odborném periodiku

  Journal of crystal growth, rok: 2012, ročník: 348, vydání: 1, DOI

2011

• Homogeneous and heterogeneous nucleation of oxygen in Si-CZ

  KUBĚNA Josef KUBĚNA Alan CAHA Ondřej MEDUŇA Mojmír

  Článek v odborném periodiku

  Solid State Phenomena, rok: 2011, ročník: Neuveden, vydání: 178-179

• Oxygen precipitation studied by x-ray diffraction techniques

  MEDUŇA Mojmír CAHA Ondřej RŮŽIČKA Jiří BERNATOVÁ Silvie SVOBODA Milan BURŠÍK Jiří

  Článek v odborném periodiku

  Solid State Phenomena, rok: 2011, ročník: Neuveden, vydání: 178-179

• Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

  CAHA Ondřej BERNATOVÁ Silvie MEDUŇA Mojmír SVOBODA Milan BURŠÍK Jiří

  Článek v odborném periodiku

  physica status solidi (a), Applied research, rok: 2011, ročník: 208, vydání: 11, DOI

• X-RAY LAUE DIFFRACTION STUDY OF OXYGEN PRECIPITATES IN CZOCHRALSKI SILICON

  RŮŽIČKA Jiří MEDUŇA Mojmír

  Článek v odborném periodiku

  Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology, rok: 2011, ročník: 18, vydání: 3

2010

• Comparative study of multilayers used in monochromators for synchrotron-based coherent hard X-ray imaging

  RACK A. WEITKAMP T. RIOTTE M. GRIGORIEV D. RACK T. HELFEN L. BAUMBACH T. DIETSCH R. HOLZ T. KRÄMER M. SIEWERT F. MEDUŇA Mojmír CLOETENS P. ZIEGLER E.

  Článek v odborném periodiku

  Journal of Synchrotron Radiation, rok: 2010, ročník: 17, vydání: 4

• Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM

  SVOBODA Milan BURŠÍK Jiří MEDUŇA Mojmír CAHA Ondřej KUBĚNA Josef

  Konferenční abstrakty

  Rok: 2010, druh: Konferenční abstrakty

• Oxygen Precipitation in CZ Si Wafers after High Temperature Pre-annealing

  MEDUŇA Mojmír CAHA Ondřej KUBĚNA Josef KUBĚNA Alan SVOBODA Milan BURŠÍK Jiří

  Konferenční abstrakty

  Rok: 2010, druh: Konferenční abstrakty

• X-ray scattering study of oxide precipitates in Cz-Si

  CAHA Ondřej MEDUŇA Mojmír BERNATOVÁ Silvie RŮŽIČKA Jiří MIKULÍK Petr BURŠÍK Jiří SVOBODA Milan BERNSTORFF S.

  Konferenční abstrakty

  Rok: 2010, druh: Konferenční abstrakty